Silicon carbide (SiC) ceramic powderadunay mga bentaha sa taas nga temperatura nga kusog, maayo nga oxidation resistance, taas nga wear resistance ug thermal stability, gamay nga thermal expansion coefficient, taas nga thermal conductivity, maayo nga kemikal nga kalig-on, ug uban pa. mga himan, mga patsa nga dili makasugakod sa temperatura, mga sangkap sa makina sa ayroplano, mga sudlanan sa kemikal nga reaksyon, mga tubo sa heat exchanger ug uban pang mga mekanikal nga sangkap ubos sa mapintas nga mga kondisyon, ug usa ka kaylap nga gigamit nga advanced engineering nga materyal.Dili lamang kini adunay hinungdanon nga papel sa mga high-tech nga natad nga gipauswag (sama sa mga makina nga seramik, spacecraft, ug uban pa), apan adunay usab usa ka halapad nga merkado ug mga natad sa aplikasyon nga maugmad sa karon nga kusog, metalurhiya, makinarya, materyales sa pagtukod. , industriya sa kemikal ug uban pang natad.

Ang mga pamaagi sa pag-andam sasilicon carbide powdermahimong bahinon sa tulo ka mga kategoriya: solid phase method, liquid phase method ug gas phase method.

1. Solid phase nga pamaagi

Ang solid phase method nag-una naglakip sa carbothermal reduction method ug silicon carbon direct reaction method.Ang mga pamaagi sa pagkunhod sa carbothermal naglakip usab sa Acheson method, vertical furnace method ug high temperature converter method.Silicon carbide powderAng pag-andam sa sinugdan giandam pinaagi sa Acheson nga pamaagi, gamit ang coke aron makunhuran ang silicon dioxide sa taas nga temperatura (mga 2400 ℃), apan ang pulbos nga nakuha niini nga pamaagi adunay dako nga gidak-on sa partikulo (> 1mm), nag-ut-ot sa daghang enerhiya, ug ang proseso mao ang komplikado.Sa dekada 1980, mitungha ang bag-ong kagamitan sa pag-synthesize sa β-SiC powder, sama sa bertikal nga hurno ug taas nga temperatura nga converter.Ingon nga ang epektibo ug espesyal nga polymerization tali sa microwave ug kemikal nga mga sangkap sa solid hinayhinay nga gipatin-aw, ang teknolohiya sa pag-synthesize sa sic powder pinaagi sa pagpainit sa microwave nahimong labi ka hamtong.Ang silicon carbon direct reaction method naglakip usab sa self-propagating high temperature synthesis (SHS) ug mechanical alloying method.Ang SHS reduction synthesis method naggamit sa exothermic nga reaksyon tali sa SiO2 ug Mg aron mabawi ang kakulang sa kainit.Angsilicon carbide powdernga nakuha niini nga pamaagi adunay taas nga kaputli ug gamay nga gidak-on sa partikulo, apan ang Mg sa produkto kinahanglan nga tangtangon pinaagi sa sunod nga mga proseso sama sa pag-pickling.

2 liquid phase nga pamaagi

Ang pamaagi sa liquid phase nag-una naglakip sa sol-gel nga pamaagi ug polymer thermal decomposition nga pamaagi.Ang pamaagi sa sol-gel usa ka pamaagi sa pag-andam sa gel nga adunay Si ug C pinaagi sa husto nga proseso sa sol-gel, ug dayon pyrolysis ug taas nga temperatura nga pagkunhod sa carbothermal aron makuha ang silicon carbide.Ang taas nga temperatura nga pagkadunot sa organikong polimer usa ka epektibo nga teknolohiya alang sa pag-andam sa silicon carbide: ang usa mao ang pagpainit sa gel polysiloxane, pagkadunot reaksyon sa pagpagawas sa gagmay nga mga monomer, ug sa katapusan maporma ang SiO2 ug C, ug dayon pinaagi sa carbon reduction reaction aron makahimo og SiC powder;Ang lain mao ang pagpainit sa polysilane o polycarbosilane aron buhian ang gagmay nga mga monomer aron maporma ang usa ka kalabera, ug sa katapusan maporma.silicon carbide powder.

3 Gas phase nga pamaagi

Sa pagkakaron, ang gas phase synthesis sasilicon carbideAng ceramic ultrafine powder nag-una naggamit sa gas phase deposition (CVD), Plasma Induced CVD, Laser Induced CVD ug uban pang mga teknolohiya aron madugta ang organikong butang sa taas nga temperatura.Ang nakuha nga pulbos adunay mga bentaha sa taas nga kaputli, gamay nga gidak-on sa partikulo, dili kaayo partikulo agglomeration ug dali nga pagkontrol sa mga sangkap.Kini usa ka medyo abante nga pamaagi sa pagkakaron, apan adunay taas nga gasto ug ubos nga ani, dili sayon ​​ang pagkab-ot sa mass production, ug mas angay alang sa paghimo sa mga materyales sa laboratoryo ug mga produkto nga adunay espesyal nga mga kinahanglanon.

Sa pagkakaron, angsilicon carbide powdergigamit mao ang nag-una submicron o bisan nano nga lebel powder, tungod kay ang powder nga tipik gidak-on mao ang gamay nga, taas nga ibabaw nga kalihokan, mao nga ang nag-unang problema mao nga ang powder mao ang sayon ​​sa pagmugna agglomeration, kini mao ang gikinahanglan nga sa pag-usab sa nawong sa powder sa pagpugong o pagpugong. ang ikaduhang agglomeration sa powder.Sa pagkakaron, ang mga pamaagi sa pagsabwag sa SiC powder nag-una naglakip sa mosunod nga mga kategoriya: high-energy surface modification, washing, dispersant treatment of powder, inorganic coating modification, organic coating modification.